CR4 XL - JR programmer

[aquar]

Salve a tutti!

Sono alle prese con una Falcon (dash 17349) ho già preso l'Xecuter CR4 XL e il Phat QSB Install Kit v3 per l' R-Jtag.
Ora vorrei capire che programmatore usare per leggere la NAND, se devo necessariamente acquistare il JR programmer o posso usare il 360Nandflasher V1.2 (in tal caso se ho ben capito non mi serve il QSB kit) usato per il vecchio Jtag.

Grazie a chi mi può rispondere!

[zeruel85]

Puoi usare quello che vuoi. Glitchip e programmatore NAND non sono vincolati tra loro.

[aquar]

ok ma come posso capire il colore/corrispondenza dei fili da saldare...dove trovo schema?

[aquar]

ho trovato schema ora però durante la lettura nand mi da errori, il programmatore è stato riconosciuto correttamente (win7 64bit), JR mi riconosce anche la falcon...il problema è che ho già saldato le 3 schedine del QSB kit e sto facendo una cosa "volante" per non dover dissaldare/risaldare nuovamente...qualche consiglio??

[pocoyo2]

Consiglierei delle foto dell'installazione

Inviato dal mio SM-N9005 utilizzando Tapatalk

[zeruel85]

durante la lettura nand mi da errori

Mettiti nei miei panni... Secondo te cosa ho capito?

Più dettagli, grazie (e anche le foto, come suggerito giustamente da pocoyo2).

[aquar]

[aquar]

Scusate spero sia un po' più chiaro...non volevo tagliare i vecchi connettori e saldare direttamente i fili...credo comunque che sia un falso contatto...

[zeruel85]

Non vedo errori. Direi che è tutto ok.

[Pa0l0ne]

Scusate spero sia un po' più chiaro...non volevo tagliare i vecchi connettori e saldare direttamente i fili...credo comunque che sia un falso contatto...

Credo sia ignoranza sull'esistenza dei bad block. Curiosità...perché stai usando un CR4XL quando esistono soluzioni instaboot con un semplice matrix?

[Babilozzo]

È una vittima dell'ignoranza, si vede ad occhio nudo

[aquar]

grazie per l'gnoranza Babilozzo ma dei bad block non ho ricordi ai tempi del primo jtag....qualcuno che possa spiegarmi meglio? Come devo procedere uso AutoGG per rimappare? ThX

@pa0l0ne la console non è mia e neppure il CR4 XL...

[zeruel85]

grazie per l'gnoranza Babilozzo ma dei bad block non ho ricordi ai tempi del primo jtag....qualcuno che possa spiegarmi meglio? Come devo procedere? ThX

@pa0l0ne la console non è mia e neppure il CR4 XL...

Quindi c'è l'aggravante per giunta...

[aquar]

Quindi c'è l'aggravante per giunta...

[aquar]

allora come riparo i bad block dalla nand originale? Nessuno lo sa?

[Pa0l0ne]

Prova con dello stucco, oppure provando anche solo ad osservare gli screen che ci hai postato...

[Videolab]

Prima un po di storia.....

La richiesta di memorie flash di tipo Nand sta esplodendo, alimentata dall’uso sempre maggiore di questi componenti presenti in numerosi mercati, che spaziano da quello consumer all’automotive, fino all’emergente Internet delle Cose. Dall’introduzione della tecnologia Nand da parte di Toshiba nel 1984, ad opera di Fujio Masuoka ,il panorama tecnologico e di mercato si è evoluto significativamente. La densità di memorizzazione dei bit è aumentata di oltre 2000 volte grazie alla riduzione delle dimensioni geometriche del nodo tecnologico da 700 a 15 nm e all’introduzione di nuove tecnologie a livello di cella. Questo aumento della densità è stato accompagnato da una corrispondente riduzione significativa del prezzo per Gigabit, che è crollato ad una velocità ancora maggiore, rendendo la tecnologia Nand il supporto di memorizzazione preferito in moltissime applicazioni. Tuttavia, sebbene il prezzo per bit sia diminuito, la migrazione alle tecnologie di ultima generazione e ai processi ultrascalati non è sempre semplice. Una delle sfide chiave da affrontare per chi desidera utilizzare le ultime soluzioni Nand è la necessità di adottare codici di correzione degli errori sempre più potenti. Tale evoluzione sta diventando una corsa ad inseguimento continuo da parte dei controllori dedicati alla gestione delle memoria e alla rilevazione e correzione degli errori. Ad esempio, per una cella a singolo livello (Slc) Nand con dimensioni fino a 43 nm è necessario codice Ecc ad un solo bit di correzione ogni 512 byte. Invece, per il nodo a 24 nm diventano necessari 8 bit ogni 512 byte. Di conseguenza, il passaggio da una tecnologia all’altra può produrre un impatto negativo sulle prestazioni se non si scelgono tecnologie di controllo più avanzate.


Sebbene esista una tecnologia in grado di produrre celle Nand con dimensioni ancora inferiori, con lo scalare delle dimensioni la resistenza e l’affidabilità dei dispositivi iniziano a contare. Inoltre, sono state sviluppate celle Nand che possono memorizzare più bit: le memorie a singolo livello (Slc) possono immagazzinare 1 bit per cella, le celle Nand multilivello (Mlc) posso immagazzinare 2 bit per cella mentre le celle a tre livelli (Tlc) ospitano 3 bit per cella. Tuttavia, la resistenza ai cicli di scrittura e cancellazione differisce a seconda della tecnologia. Le celle a singolo livello possono durare 60.000 cicli, quelle a due livelli 3.000 cicli, mentre quelle a 3 livelli solo 500 cicli (assumendo lo stesso algoritmo di correzione degli errori per tutte). Dato che i blocchi di memoria posso degradarsi e invecchiare, si assegna un limite superiore al numero di scritture eseguibili in ogni locazione della memoria Nand. Al fine di assicurare un utilizzo equilibrato delle locazioni di memoria, è necessario adottare nel controllore delle Nand anche degli algoritmi di “livellamento dell’usura”. Quando si calcola il tempo di vita di un sistema a partire dall’affidabilità delle memorie Nand è importante ricordare che le funzioni di gestione delle memorie producono più accessi in scrittura ad ogni cella rispetto al numero di bit di dati che vengono salvati. Ciò è dovuto al fatto che le funzioni di gestione possono comprendere lo spostamento dei dati da una locazione all’altra, causando la scrittura di molteplici celle per un singolo bit da immagazzinare. Mentre la scrittura/programmazione delle celle è svolta pagina per pagina, la cancellazione elimina interi blocchi (che consistono di diverse pagine). Per preparare un blocco per la cancellazione, i dati da conservare devono essere prima copiati in altri blocchi. Questo scambio di pagine prima della cancellazione del blocco è chiamato garbage collection o raccolta della spazzatura.

Una delle caratteristiche ,negative, delle memorie Nand Flash sono i Bad Block ossia blocchi difettosi. Spesso durante la programmazione di Nand flash nuove od anche di recupero puo' capitare di imbatterci in più bad block difettosi. Il software di gestione del programmatore provvederà a spostare le informazioni su blocchi validi comunicando nella memoria stessa una mappa in cui i blocchi difettosi saranno automaticamente resi invisibili e quindi non recettivi di informazioni. Leggiamo ancora qualche info...

Gestione blocchi danneggiati nelle memorie NAND Flash

Questo documento spiega come riconoscere e gestire i blocchi danneggiati generati in fabbrica o durante il regolare funzionamento della memoria NAND Flash.

I blocchi danneggiati (Bad Block) sono blocchi che contengono uno o più bit non validi la cui affidabilità non è garantita.

I Blocchi danneggiati possono essere presenti quando il componente viene spedito, o si possono sviluppare durante la vita del componente stesso.
Le nand flash con blocchi danneggiati hanno lo stesso livello di qualità e le stesse caratteristiche AC e DC di quelle in cui tutti i blocchi sono validi.

Un blocco difettoso non influisce sulle prestazioni di blocchi validi perché è isolato dalla linea di bit e dalla linea di source comune da un transistor di selezione.

La gestione di un blocco danneggiato, la sostituzione del blocco, e il software del codice di correzione degli errori (ECC),sono necessari per gestire i bit di errore nei dispositivi NAND Flash.

Riconoscere i blocchi danneggiati

Le memorie NAND Flash sono fornite con tutte le posizioni dentro i blocchi validi cancellati(FFh). Cioè perfettamente vuote.Le informazioni relative ai blocchi difettosi sono redatte ancor prima del trasporto.

Ancora info interessanti prese sul web.

La natura delle memorie NAND Flash con il quale vengono fabbricate le comuni Pen Drive, gli SSD e le memory card ad uso fotografico, le rende suscettibili a diversi tipi di corruzione dei dati. Allo stesso modo di come gli Hard Disk e i Floppy disk sono a rischio nelle vicinanze di forti campi magnetici, le memorie NAND hanno diversi tipi di vulnerabilità, alcune delle quali si possono manifestare in situazioni normalissime come ad esempio una semplice operazione di lettura.

Molte e diverse possono essere le cause di errori nelle flash. Tra i più comuni vanno considerati gli errori di scrittura. Addirittura le celle su cui non viene operata una scrittura possono essere danneggiate da una scrittura effettuata nelle celle o nelle pagine adiacenti, ciò viene chiamato disturbo di programmazione. Le celle che non vengono programmate ricevono una tensione tale da farle erroneamente apparire come debolmente programmate. In tali casi non vi è un reale danno alla struttura fisica e il problema può essere normalizzato con una semplice cancellazione. Ci sono poi errori di lettura: leggendo più volte dallo stesso blocco si può generare un effetto simile al precedente chiamato appunto disturbo di lettura. In pratica le celle raccolgono una carica sufficente a farle sembrare debolmente programmate. Anche in questo caso una semplice cancellazione normalizza il problema.


Perdita o acquisizione di carica. Un aspetto molto importante è la conservazione nel tempo dei dati all’interno delle celle. Nel corso del tempo le celle sono soggette a perdita o acquisizione di carica che le farà apparire debolmente programmate o in un altro stato non valido. Il blocco non ne viene danneggiato danneggiato e può ancora essere affidabile cancellato e riscritto. Quest’ultimo aspetto basterebbe da solo a determinare pen drive, SSD, memory card e tutti gli apparecchi basati sulle memorie flash come del tutto inaffidabili, esiste invece un efficace rimedio appositamente progettato allo scopo. Si tratta del codice ECC (Error correcting Code) che è in grado di correggere eventuali errori al volo ed in modo del tutto trasparente all’utente finale.


Gia ribadito precedentemente.....

I Nand chip non sono sempre assolutamente perfetti. C’è da sapere che ogni chip può presentare una certa quantità di blocchi difettosi già dal momento della produzione e verrà messo comunque in commercio con tali difetti. La gestione dei blocchi danneggiati è integrata direttamente all’interno dei chip NAND. Quando viene fallita un’operazione di lettura o scrittura i dati vengono scritti in un blocco diverso e questo viene marcato come difettoso e la flash continua a funzionare regolarmente.

Colmiamo le carenze sulle nand

[Babilozzo]

allora come riparo i bad block dalla nand originale? Nessuno lo sa?

Ti sei fermato su questo, chè è un "non problema" ,... sarebbe più interessante se ci mostrassi questa installazione posata in opera, con due foto e un bel video per valutare i suoi tempi di boot, a mio parere.
Anche perchè di cr4xl ne ho visti davvero pochi funzionare hahah.
Cmq considera che quando nella finestrella "Nand Info" di j-runner vedi le varie versioni dei BL e LDV puoi ragionevolmente procedere con il resto.
Ciao.

[aquar]

Se ci riesco volentieri...non trovo molte guide a proposito del CR4 XL se non quella di Nooberts...non vedo perchè non dovrebbe funzionare se tutto ok.

[aquar]

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credo fosse su netxrl tempo fà...